2020年全球DRAM行业市场现状分析,国产DRAM旭日东升「图」

一、DRAM行业概况

半导体存储从应用上划分又可分为随机存储存储器(RAM),只读存储器(ROM);RAM可以分为动态随机存储(DRAM)与静态随机存储(SRAM);DRAM只能将数据保存较短时间,并需按时刷新以克服漏电问题。从传输速度来看,DRAM在10~100ns量级,慢于SRAM,但仍然快于ROM。DRAM具备集成度高,低功耗,低成本,体积小等显著优势,通常作为读写频繁的程序内存或容量较大的主存储器,如智能手机,服务器内存等。SRAM是目前读写速度最快的存储设备,但集成度较低,价格昂贵,多用于CPU的一级缓存,二级缓存(L1/L2Cache)。

DRAM与SRAM的性能对比

DRAM与SRAM的性能对比

资料来源:公开资料整理

据统计,2018年全球半导体市场规模4780亿美元,存储器市场规模为1650亿美元,占比34.52%。其中在存储器市场中,DRAM存储器市场规模为957亿美元,占比58%,是存储器领域第一大细分市场。

存储区领域细分市场分布(单位:%)

存储区领域细分市场分布(单位:%)

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二、全球DRAM行业市场现状分析

由于需求供应不平衡,DRAM市场在2019年面临巨大下滑,据统计,截至2019年全球DRAM市场规模下降至620亿美元,同比下降37.4%,2020年日韩贸易不确定性上升,且韩国半导体材料端严重依赖日本市场出口,结合各自生产规划,预计三大厂商2020年继续维持谨慎资本开支,2020年前三季度,买全球DRAM市场规模约为494亿美元。

2016-2020年9月全球DRAM市场规模

2016-2020年9月全球DRAM市场规模

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现阶段全球半导体产业中心已经转移到中国,中国已经成为半导体领域规模最大和成长最快的市场。2019年美国与中国合计购买了全球70%以上的DRAM芯片。

2019年全球DRAM芯片市场销售额区域分布(单位:%)

2019年全球DRAM芯片市场销售额区域分布(单位:%)

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DRAM下游需求划分为标准型(PC)、服务器(Server)、移动式(mobile)、绘图用(Graphic)、消费电子类(Consumer)五类,其中前三大应用领域分别是移动式,服务器和PC。根据HIS数据,2019年移动式领域需求占比33.5%,移动式主要指智能手机。智能手机和服务器成为拉动下游市场回暖的最强驱动力。

2019年DARM下游需求分布(单位:%)

2019年DARM下游需求分布(单位:%)

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相关报告:华经产业研究院发布的《2021-2026年中国DRAM存储器行业投资分析及发展战略研究咨询报告

三、全球DRAM行业竞争格局分析

与所有半导体产品一样,少数公司倾向于控制特定产品的多数市场份额,DRAM也不例外,存储器行业科技含量高,高昂的研发成本使得资本支出大且增速高于其他行业,从而垄断格局牢固,巨头优势下马太效应愈演愈烈。三星、美光、SK海力士三巨头已经在DRAM领域形成了“高市占率→高营业额→研发投入大→技术领先→抢占市场”的良性循环。据统计,2020年Q3三星占据41.3%市场份额,SK海力士占据28.2%市场份额,美光占据25%市场份额,其他占比5.5%。

2018-2020年全球DRAM企业市场份额走势

2018-2020年全球DRAM企业市场份额走势

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四、国产DRAM旭日东升

1、合肥长鑫在政府支持下成立,投入巨额资源。合肥长鑫506项目2016年立项,是安徽省和合肥市重点工程,也是安徽省单体投资规模最大的工业项目。合肥长鑫选址位于合肥空港经济示范区,包括长鑫12英寸存储器晶圆制造基地,空港集成电路配套产业园,空港国际小镇三个地区,占地约15.2平方公里,致力打造产城融合国家存储基地。目前项目总投资超过2200亿元,其中长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目总投资1500亿元,预计项目全部建成后,产值规模超2000亿元,集聚上下龙头企业超过200家,吸引人才超20万。

2、国产替代之路布满荆棘,合肥长鑫担以重任

目前国内三大存储器制造商分别是长江存储,福建晋华和合肥长鑫。长江存储主要负责NAND Flash技术研发,福建晋华和合肥长鑫则负责DRAM领域。2018年下半年福建晋华投产之后,被美国商务部以国家安全为由列入出口管制清单,美国三大半导体制造商在禁令当天撤出福建晋华12寸厂,随后技术合作方台湾联电表态终止合作,福建晋华于2019年3月停产。目前国产替代DRAM最大希望就在合肥长鑫。

3、技术深厚,来源奇梦达

奇梦达是2016年英飞凌从内存部门剥离的公司,曾为全球第四大DRAM供应商,2008年完成堆叠式DRAM技术Buried Wordline技术研发,但因2009年奇梦达破产,该项技术和其他众多专利被封存。合肥长鑫基于授权已获得奇梦达一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据,继承Buried Wordline技术并已将46nm工艺成功推进到10nm级别,目前已有16000多项专利申请。

4、兆易创新联手合肥长鑫,正式切入千亿美金赛道

兆易创新和合肥长鑫在2017年10月签订合作协议,合作目标是2018年12月31日前成功研发12英寸1Xnm(19nm)DRAM存储器,项目预算180亿元左右。兆易创新和合肥长鑫以1:4比例筹资,项目依托于合肥长鑫。2018年原兆易创新CEO朱一明先生担任合肥长鑫CEO。

华经产业研究院通过对中国DRAM行业海量数据的搜集、整理、加工,全面剖析行业总体市场容量、竞争格局、市场供需现状及行业重点企业的产销运营分析,并根据行业发展轨迹及影响因素,对行业未来的发展趋势进行预测。帮助企业了解行业当前发展动向,把握市场机会,做出正确投资决策。更多详细内容,请关注华经产业研究院出版的《2020-2025年中国DRAM存储器行业发展潜力分析及投资方向研究报告》。

本文采编:CY343

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