第三代半导体

2022年中国碳化硅行业现状分析，衬底良率增高「图」

2018-2020年和2021上半年晶棒良率分别为41%、38.57%、50.73%和49.90%，衬底良率分别为72.61%、75.15%、70.44%和75.47%，综合良率目前大约为37.7%。说明中国碳化硅的技术级层面有限，目前还没有找到能提高综合良率的办法。

2020年中国第三代半导体产业现状，国产替代意愿强，政策支持力度大「图」

2020年我国第三代半导体产业电力电子和射频电子总产值超100亿元。其中，SiC、GaN电力电子产值规模达44.7亿元；GaN微波射频产值达到60.8亿元。